Postez dans ce topic vos questions, remarques, suggestions à propos de cet article.  
 
Vous pouvez le lire ICI

Bonne lecture et merci à Guillaume pour cet article clair et compréhensible alors que le sujet n'est pas simple

Simple, clair et particulièrement ludique. Bravo !

un detail pour moi les gate metal existe depuis l'invention du transistor MOS (Metal oxyde silicon)
en plus le cannal n'est jamais un oxyde de silicium mais du silicium dopé N pour les NMOS et P pour les PMOS c'est a dire avec des electron en surplut pour le n et en moin pour le P  

waw très bon article pas de doute ! La vulgarisation est bonne... quoi que parfois un peu too much pour certains lecteurs.  
 
Au final, un sujet qui m'intéressait particulièrement et des réponses à de nombreuses questions !  
Merci Matbe

L'eau pure est un bon isolant, c'est la présence d'impuretés ioniques qui en fait un conducteur.
 
Mais... bon... c'est juste histoire d'élargir l'arrière des mouches.    
 
ça fait bien plaisir de voir le site se développer depuis l'épopée de la K7S5A. Je te remercie encore d'avoir, à l'époque, apporté une aide si précieuse et d'une telle qualité à ceux qui voulaient se monter une machine pour pas trop cher avec cette carte.
 
Bonne route et longue vie à toi !  

Yep mais ironiquement on a continué a parler de MOS alors que cela fait un bail que l'on avait remplacé le métal par le polysilicium.

pH=7
 
ça fait 10^-7 bonnes raisons de pas être isolant...  

10^-7 ça fait pas beaucoup
 
Ce n'est pas un isolant parfait, c'est sûr, mais entre de l'eau pure, bi-distillée, et l'eau du robinet... il y a de la marge.

Très bon article j'ai adoré le style!    
 
Par contre deux petites chose: comment peut ont graver en 45nm avec un faisceau de longueur d'onde de 193nm? une explication?
 
Et en français on parle plutot de collecteur, base et emetteur à la place de source, gate et drain non?

Collecteur, base et émetteur c'est pour désigner les pattes des transistors à technologie bipolaire. Pour la technologie MOSFET (à effet de champ) on parle de drain, source et grille (+ usité que "porte" ).

oui pour un transistor bipolaire
pour un transistor a effet de champ c'est grille drain et source

Merci pour les commentaires sympathiques (c'est valable pour tout le monde hein, pas de jaloux ).
 
On focalise la lumière avec des lentilles donc (ou un bain de liquide pour la lithographie a immersion). Diffraction, tout ca.

des details please
car pour moi le fait de focaliser la lumiere avec une lentille n'influence pas la longueur d'onde de celle ci

Pourtant c'est bien le cas :
http://fr.wikipedia.org/wiki/Diffraction

oui et alors il ne faut pas confondre les phenomene de diffraction qui agissent sur la diffusion de la lumiere et le fait que cela agissent sur la longueur d'onde
car la longueur d'onde est caractéristique d'une onde et réprésente la distance parcourue en une période Lambda=C/f
pour les UV C=célérité de la particule dans le cas qui nous concernent le photon donc la vitesse de la lumiere 3.10^8 m/s de mémoire
et f pour les UV est compris entre 10^15 Hz et 10^16 Hz
et une lentille ne change pas la longueur d'onde car cela voudrait dire que ca changerait la couleur de cette lumiere
hors les résines photosensible utilisé réagissent aux UV pas à une autre couleur

C'est le point qu'il manque à mon avis, Guillaume...
 
Graver en 180-130-90-65-45nm avec une source à 193nm c'est la méga merde... Et ça n'est qu'au prix de beaucoup d'astuces que ça fonctionne.
 
En gros, diffracter pour diffracter autant le faire comme on veut (il est bien là le problème). Donc avec des formes étranges par rapport au résultat escompté, on crée des interférences hyperlocalisées. En s'appliquant, cette localisation est la piste. On utilise aussi des cristaux particulier pour le masque dans certaines zones, qui permettent de modifier la phase (idéalement de l'inverser), toujours dans le même but.
 
Il reste ensuite encore une longueur d'onde utilisable, de mémoire vers les 160nm, avec des technologies semblables aux technologies actuelles. Ensuite, ce sera EUV ou RX, et là, il faut abandonner l'idée d'optique conventionnelle. En EUV, il semble que les résultats soient assez prometteur avec des optiques par réflexion (comme un télescope). En RX, des proto de lentilles diffractives semblent apparaître (même problème, mais ce coup ci dans la lentille : en RX, la longueur d'onde est de l'ordre de grandeur de la distance interatomique, donc diffraction, laquelle est très utilisée en laboratoire pour déterminer les structure cristalline), mais rien d'opérationnel demain.
 
D'autre procédé de fabrication sont aussi en développement, mais personnellement, je ne crois pas que ça remplace la photolitho demain.
 
Très bon article Guillaume.

J'ai bien aimé l'article aussi, je l'ai pas trouvé du tout vulgaire.  

Pour ceux qui veulent aller (beaucoup) plus loin, The Register a mis la main sur une préversion du "papier" d'IBM sur le sujet.  
 
http://regmedia.co.uk/2007/01/28/ibmhighk.pdf
 
Le papier est à la fois court, dense et très académique. Pour ceux qui n'ont pas le courrage de lire, IBM dit maitriser HK/MG avec les NMOS (nFET) et passe une grosse partie du papier à expliquer le challenge des PMOS (pFET). Ils parlent également de leur production de SRAM mélangeant NMOS HK/MG (les nouveaux) avec des "vieux" PMOS.  
 
Globalement c'est assez décevant et IBM est un peu à la traine sur le sujet. Côté matériaux, HfO2, dioxyde d'Hafnium pour l'isolant "high-k" (k=25 de mémoire), rien sur les métaux employés pour les gates N et P. Le sentiment qui ressort de la lecture du truc, c'est qu'IBM n'a pas encore trouvé le métal idéal pour les portes de leurs transistors de type P.  
 
La news de theregister sur le sujet (qui parle surtout de la bataille médiatique d'Intel/IBM sur le sujet) : http://www.theregister.co.uk/2007/ [...] ibm_highk/

Salut tous, merci pour l'article, passionnant comme d'hab.
 
Petite question pour guillaume ou un autre pedagogue de course :
 
"Field Effect Transistor
Ce type de transistor utilise ce que l’on appelle un effet de champ. Explication : lorsqu'une tension arrive sur la porte (gate), cette dernière émet un champ électrique qui va traverser la couche isolante placée juste en dessous (le « gate dielectric », l’isolant de la porte si vous préférez) et va aller jusqu’au « channel », la partie placée entre la source et le drain. Le champ va « relier » la source et le drain et le courant peut alors passer. Nous avons donc un transistor qui fonctionne, laissant passer (on) ou non (off) le courant entre la source et le drain en fonction de la tension appliquée à la porte. Enfin ça, c’est pour la théorie."
 
Pourriez vous m'eclairer si c'est pas trop compliqué, sur le fonctionnement atomique de "l'effet de champ"
Comment un champ electrique peut laisser passer ou non les  electrons de S vers D dans le channel ?
 
Thx et keep going

http://fr.wikipedia.org/wiki/Transistor_JFET
 
(bon amusement huhu)

le plus simple pour t'expliquer ce serai de faire un dessin
explication pour un nmos a depletion et de memoire car je n'ai pas pratiqué depuis que j'ai quité l'ecole
donc pour un transistor nmos l'espace entre le drain et la source est dopé n donc avec des e- libres le tout dans un substrat dopé p donc avec des e+.(e+ = trou)
si tu appliques une tension sur la grille tu crés a cet endroit une charge positive donc qui attire les e- qui sont derriere l'isolant donc cela crée dans l'espace entre drain et source un canal ou les e- sont minoritaire donc ceux qui arrive sur la source vont passer dans le canal pour rétablir l'équilibre et comme tu en préléves par le drain il y en a qui ressorte
et qui dit circulation d'e- dit courant donc un courant circule entre drain et source
si tu supprimes la tension sur la gate les e- repprenne leur place et crée une barriére donc plus de circulation donc plus de courant
dans le pmos c'est pareil mais les dopages sont inversés  le canal est dopé p et le substrat n donc il faut apporté des e- en excés sur la gate pour ouvrir le canal au passage du courant
 
voila en gros ce dont je me souviens mais je ne suis plus tout a fait sur

pour  comprendre mon msg precedent il faut les bases en microelectronique et en physique des semiconducteurs

voila un lien qui eclairci les chos est montre aussi les connerie que j'ai dit
http://www.cea.fr/index.php/cea/la [...] pvide/5521
mais dans le principe c'etait bien ca

Sympa le lien. Et merci pour avoir mis l'explication plus technique.

 
 
tes souvenirs ne sont pas trop emmoussés    
 
 
 
Merci de vos reponses.
 
 

Super article, merci ! Je suis un peu plus intelligent maintenant...

+100

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  Ultra Grilled
-= président auto-proclamé du club des posteurs en retard =-
-= membre de soutien du club des célibataires =-                             http://www.ecohom.be/

Excellent article !!! Je travaille chez IBM France depuis un certain nombre d'années maintenant (voire un nombre certain ...) et j'ai commencé à l'usine de Corbeil-Essonnes où nous fabriquions des composants avant
de partir pour un autre métier de commercial.
Ce refresh très pertinent m'a remis au goût du jour et rajeuni.
Merci encore et un grand bravo à l'auteur pour sa parfaite connaissance du procédé et surtout pour sa vulgarisation d'un sujet extrèmement complexe pour les non-initiés.
Olivier.

Excellent article, la vulgarisation est bien vue même pour des gars comme moi qui arrivent à "piger"  
Respect du grand MatBe